Schreib-Lese-Speicher: Unterschied zwischen den Versionen
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Aktuelle Version vom 21. August 2023, 07:13 Uhr
Unter Schreib-Lese-Speicher (auch: Schreib-/Lese-Speicher) versteht man einen Datenspeicher, der sowohl gelesen als auch (leicht und häufig) beschrieben werden kann. Oft wird dafür auch die Bezeichnung RAM (Random-Access Memory [ˈɹændəm ˈækses ˈmeməɹɪ], Speicher mit wahlfreiem Zugriff) verwendet, aber genau genommen sagt diese Bezeichnung nichts über die Schreibmöglichkeit aus.
Die Bezeichnung des Speichertyps als „wahlfrei“ bedeutet in diesem Zusammenhang, dass jede Speicherzelle über ihre Speicheradresse direkt angesprochen werden kann. Der Speicher muss also nicht sequenziell oder in Blöcken ausgelesen werden. Das unterscheidet den RAM von blockweise zu beschreibenden Speichern, den so genannten Flash-Speichern.
Der Begriff „Random-Access Memory“ wird heute immer im Sinne von „Schreib-lese-RAM“ („Read-Write Random-Access Memory“ [ɹi:d ɹait...] – RWRAM) verwendet. Es gibt weitere Speicherarten mit wahlfreiem Zugriff, insbesondere Nur-Lese-Speicherbausteine (Festwertspeicher, ROM). Da die Bezeichnung RAM missverständlich ist, wurde zeitweise versucht, den Begriff „Read-Write Memory“ (RWM, Schreib-Lese-Speicher) zu etablieren, der sich jedoch nicht durchsetzen konnte.
Quellenangabe
Dieser Artikel basiert auf den Artikeln Schreib-Lese-Speicher und Random-Access Memory aus der freien Enzyklopädie Wikipedia (Abgerufen: 25. März 2010, 11:07 UTC) und steht unter der Lizenz Creative Commons Attribution/Share Alike. Dies ist eine gekürzte Variante der Originalartikel, die vollständigen Artikel findest du unter obigem Link. In der Wikipedia sind die Listen der Autoren [1] und [2] verfügbar, dort kann man die Artikel bearbeiten. Die IPA-Umschrift wurde speziell für das GameGuideWiki von WikiAdmin hinzugefügt.